上海南芯半導體科技股份有限公司(以下簡稱南芯)受邀參加7月30日由充電網主辦的2021全球第三代半導體快充產業峰會。本次峰會匯聚了眾多氮化鎵、碳化硅企業,以及多家第三代半導體快充控制芯片供應商、方案商等。
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在展會上,南芯展出了全部自主研發的氮化鎵快充方案,基于SC3056合封氮化鎵芯片+SC3503同步整流控制器+SC2151A協議芯片,實現了氮化鎵快充全面國產化。
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南芯半導體AC-DC專案經理 高建龍先生在本次大會上發表了《集你所需,方寸匯聚高能?--?南芯半導體GaN?PD快充方案介紹》
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他主要介紹了南芯作為氮化鎵快充控制器國產化的領頭羊,實現了氮化鎵控制芯片的自主可控,其專利技術的GaN直驅控制器被廣泛使用?,F已推出系列化的產品,滿足不同的應用場景:30W功率級氮化鎵快充方案(SC3021D+SC3503+SC2151A);33W功率級氮化鎵快充方案(SC3056+SC3503+SC2151A)65W氮化鎵快充方案(SC3021A/C+SC3503+SC2151A);單口、多口、集成GaN的多種快充方案。
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南芯氮化鎵控制芯片已在紫米、努比亞、意象等大廠成功量產。
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南芯推出的高集成氮化鎵合封芯片,代表著充電器上的尖端科技。不同于其他廠商的合封氮化鎵芯片,南芯的合封芯片通過搭配合適的氮化鎵芯片和控制器,來實現器件性能最優化,成本最優化,從而避免了器件性能上的浪費,降低器件成本,讓更多的廠商都能用上氮化鎵。
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南芯設計了不同多種功率級別的demo,用于客戶的評估測試,如需申請樣品,可郵件至sales@southchip.com,更多產品信息敬請訪問:www.hengzhijy.com。